高真空电子束蒸发系统:
该设备具有以下特点:真空度可达到10-8Torr量级;具有基片加热功能,最高可以加热到450℃;可对8英寸及以下硅片进行镀膜;蒸发速率快,均匀性好;所蒸发的金属薄膜易于剥离;同时能够对薄膜的蒸发速率和厚度进行实时监测。目前可蒸发材料包括Al,Sc,Sn,Ge等。
化学气相沉积系统:
此设备在100~400℃下淀积SiOx、SiNx、SiOxNy、ɑ-Si、SiCx 高低应力SiNx薄膜。反应气体主要是元素的氢化物。
混合信号示波器-Tektronix MSO58:
数字芯片中有一系列并行信号的设计和测试需求,国防军工领域同样需要多通道示波器进行多通道并行信号采集分析,因此我们目前需要的八通道混合信号示波器能够集成软件进行各种多路并行信号的快速高效的采集测试以评估设计质量。
氦氖镓三束微纳离子显微镜:
微纳成像与加工
台阶仪(P17):
兼容8英寸(8inch)及以下尺寸wafer;
薄膜厚度测量;
区域轮廓扫描;
二维应力测量;
可进行多点测试(最多20点)。
噪声系数分析仪-Keysight N8976B:
主要功能对射频及无线通信设备、终端、高性能的收发电路中的各类有源器件、电路或系统进行噪声系数的快速、精确的测试。常见被测件包括低噪声放大器测试、功率放大器测试、基站射频组合测试、混频器件测试、平衡器件测试等等
半自动激光植球机:
激光植球机用于晶圆的微凸点制作,以及单芯片凸点、各种基板的植球,也可灵活应用于CSP植球,BGA植球等,同时满足用户不同尺寸的微凸点加工需求。null金相抛磨机:
样品放于模具中通过环氧树脂固化完成制样,抛光样品截面,可供分析。样品种类:常见普通件、陶瓷件、金属件、硅片等
钨沉积系统:
全自动送样设备
中端逻辑分析仪-Keysight 16864A:
逻辑分析系统可提供上百个通道的时序观察和信号捕捉。尤其是在对FPGA、CPU、DSP等有大量管脚的复杂器件进行测试时,逻辑分析系统可采用映射的方法帮助工程师观察、调试器件内部结构。这是其独有的功能。随着ASIC, FPGA等大型器件的不断发展,工程师也需要更多通道,更多功能的逻辑分析系统来完成测试。
任意波形发生器-Tektronix AWG70001A:
发生任意波形,支持数字芯片测试
NICP刻蚀机:
NICP刻蚀机有多种刻蚀方式:PLASMA模式、RIE模式、ICP模式;刻蚀精度:1微米。主要刻蚀介质:Si、BCB、PI等. 刻蚀尺寸:5英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。
阻抗分析仪-Keysight E4990A:
器件的动态阻抗性能准确测量
任意波形发生器-Keysight M8195A:
M8195A 能够输出25 GHz载波频率直接生成任意调制方案 (例如 nPSK、nQAM、APSK、OFDM 等) 的宽带无线信号,或者支持以载波频率直接生成波形。可用作人工智能、量子计算、超宽带通信、软件无线电平台接收机测试的标准基带信号源,与微波矢量信号源配合可把带宽高达10GHz的复杂信号调制到更高的载波上,模拟实际的电磁环境,测试接收机平台的性能。
晶圆金属化层湿法沉积系统:
四英寸、六英寸wafer 化镀镍钯金,及电镀铜锡
贴片机:
通过粘结材料把元器件、芯片等固定于基板或陶瓷外壳。
THERMCO 氧化LPCVD:
设备所有炉体为3 温区,恒温区长度300mm。氧化炉体最高温度为1200度,工艺温度最高为1100度;所有炉体都是由内外部热电偶双控温模式以达到工艺温度更精准更稳定。
无液氦综合物性测量系统-Quantum DynaCool:
提供1.9K~400K温度环境和0~14特斯拉的磁场环境的同时,用先进的数据采集、分析和处理手段进行全自动的磁学、电学、电磁关联及光学的相关测量。
半导体器件分析仪-Keysight B1500A&1530:
对半导体器件进行IV、CV等多种电学功能测试
信号参数分析仪:
N5247A 67G微波电路测量系统主要的功能之一是对射频微波元器件的S参数进行测试。包括脉冲器件、功率放大器、低噪声放大器、混频器、变频器、T/R组件、天线等。可以完成通用的线性传输/反射参数测试,脉冲参数测试,放大器谐波测试,精确的混频器/变频器测试等。
N5247A 67G微波电路测量系统还可以实现单次连接多项测量功能,即完成校准及连接好被测件后,可以完成被测件几乎所有参数的测量;例如对于放大器可以同时测量驻波、增益、谐波、1dB压缩点、AM到PM转换和三阶交调等项目。
傅里叶变换红外光谱仪:
傅里叶变换红外光谱仪兼具显微镜和红外光谱的功能,可以对微小样品进行微区检测,进行快速有效的分离鉴定。该设备利用物质吸收红外辐射后,引起分子振动能级和转动能级的跃迁产生的带状光谱,对所得光谱进行分析,可以得出物质组成、结构定性分析。
大功率探针台-MPI TS2000HP:
大功率探针台是大功率器件测试的配套设备,TS2000-HP使用时与功率器件分析仪连接,可以在变温环境(-60℃至300℃)下实现10000V、100A的半自动晶圆级测试
X射线检测系统:
X射线检测设备主要应用于检测和分析半导体器件、光电器件和其它材料内部结构和内部缺陷,可检测锡球空洞、空焊、短路以及焊点、IC金线等不良现象。
小型冷热冲击试验箱:
进行热循环处理,检测样品可靠性。
晶圆键合机:
晶圆键合机可实现的晶圆键合方式包括共晶键合、阳极键合、热压键合。该设备采用在线红外对准,可实现精度为±2.5μm的晶圆与晶圆的键合。相比SUSS和EV Group的圆片键合机需在匹配光刻机上进行对准,该设备同时具备对准及键合两项功能,减少了移片对准精度的损耗。
射频与微波信号发生器-ROHDE-SCHWARZ SMA100B:
发射射频微波信号,配合接收仪表进行芯片性能测试
电子束光刻机:
《二维材料套刻的电子束光刻》《无mark的电子束光刻工艺》《3D结构的电子束光刻工艺》《表层晶体结构的观测》《电子束光刻的混合曝光工艺》
8位半万用表-Keysight 3458A:
0.1ppm的基本直流精度,12MHz带宽,16-24位分辨率
BENEQ 原子层沉积系统:
制备氧化物,如氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽等,制备氮化物,如氮化钛、氮化钽等,精确到0.1纳米。
TXP精研一体机:
所需的精研一体机主要用于为扫描电镜及离子束切割仪加工样品,样品类型包括芯片等半导体材料及金属块状样品。在封装芯片的检测实验中,需要对样品特定的位点进行解剖,以便获得特定位点的平整断面观察。这就需要一款专门的机械前处理设备对样品进行精确的定位加工和精细的机械抛光。后面可以配合离子束切割仪获得无应力无污染真实的平整截面,从而适宜于SEM观察及EDS、WDS、Auger或者EBSD分析。
X射线光电子能谱分析仪:
大功率X射线枪
配备Al/Ag双靶
配备荷电中和、氩离子刻蚀枪、紫外光电子能谱
可进行平行成像,最佳分辨率1微米
真空互联-脉冲激光沉积镀膜机:
用于制备磁随机存储器、阻变存储器、复杂氧化物功能薄膜材料,并为部分晶体管器件制备栅极材料
离子束刻蚀机:
金 银 铜 铬等
示波器-Tektronix MSO64B 6-BW-4000:
在电路调试中,用来定性观测信号的有无,波形显示结果是否和期望相符,可以定量分析信号的特性,测量幅度、频率、上升时间、下降时间、脉冲宽度、脉冲个数、过冲等,观测电路是否有偶发故障,并分析其重复性,研究其成因。同时,还可以进行信号完整性测试,是否有噪声、过冲、振铃、非单调、抖动等特性。在射频信号分析领域,还可以进行信号频谱、调制分析。
数字集成电路测试机-ST2516:
直流参数、交流参数及功能测试。集成开发环境提供丰富的开发和调试工具,方便进行测试程序开发。针对批量测试,提供数据记录和分析工具。
直流参数、交流参数及功能测试。集成开发环境提供丰富的开发和调试工具,方便进行测试程序开发。针对批量测试,提供数据记录和分析工具。
光电所光刻机(汞灯):
该设备为手动接触式曝光机,需与其它辅助设备配套完成整个光刻工艺。光刻工艺的主要步骤分为:烘箱将硅片水分去除、熏表面接触剂、匀胶机涂覆光刻胶、热板对胶进行前烘、曝光机曝光、热板进行中烘、显影、显微镜镜检、烘箱后烘。该曝光机所承载的硅片为6英寸圆片以下或直径小于2英寸的小碎片;掩膜版尺寸7英寸以下;本光刻机的主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸、在对准标记质量不好、套刻要求不高的情况下也可进行曝光;对形状各异的碎片均可曝光;
目前,该设备可做的光刻工艺有:曝AZ601正性光刻胶厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P负性胶厚2.0~2.7微米用于刻蚀工艺;NR9-3000PY负性胶厚2.0~2.7微米用于剥离工艺;NR9-6000PY负性胶厚5.0~5.7微米用于剥离工艺;AZ4620正性光刻胶厚4.5~8微米用于刻蚀工艺;双层胶用于剥离工艺等。
三维形貌测量仪:
用于多种不同材料薄膜的三维形貌测量,能够充分满足微电子所所承担的科研项目工作中的对薄膜材料进行三维形貌测量的需求。null相位噪声分析仪-ROHDE-SCHWARZ FSWP50:
利用相位噪声分析仪的互相关分析功能测试被测器件的相位噪声。主要用来测量被测件的相位噪声测量、VCO测量和瞬态信号分析指标,应用于雷达以及频率合成器、恒温晶体振荡器 (OCXO)、介质共振腔振荡器 (DRO)和VCO的开发与制造。
等离子去胶机:
超声检测设备:
超声扫描显微镜主要用于检测并分析半导体封装技术开发中的元器件内部分层等缺陷,对X-ray不能分辨的裂纹及封装技术研发过程中粘接层、填充层、涂镀层、结合层通过无损扫描进行分析。
ICP设备(刻蚀机):
本设备可进行硅片深刻蚀,加工尺寸为4英寸及以下硅片。Si刻蚀速率为3um/min,光刻胶硅刻蚀选择比为1:20,均匀性小于5%。
多通道任意波形发生器-Tektronix AWG5208:
高速数字芯片中有一系列串行总线的设计和测试需求,国防军工领域同样需要多通道任意波形发生器进行信号接收端分析,因此我们目前需要的任意波形发生器能够集成软件进行各种高速信号的快速高效的接收端测试以评估设计质量。
拉力剪切力测试仪:
适用于半导体各种封装形式测试金铝线黏合力,及COB封装、光电,LED,SMT组装 , 原件与基板黏合测试等。
信号源分析仪-Keysight E5052B:
噪声测量功能 1) 使用超低本底噪声和交叉关联方法来测量相位噪声 2) 无需改变 RF 连接即可测量 AM 噪声和相位噪声 3) 从 1 Hz 到 100 MHz 的基带噪声测量 4) 实时模式中扫宽高达 15MHz 的频谱监测 分析功能 1) 可随时对频率、相位和功率同时进行瞬时测量 2) 利用视频触发功能捕获不可预知的频率变化 3) 使用出色的低噪声直流电源进行全面的 VCO 表征(频率/功率/直流电源电流随 Vc 和 Vs 变化的关系) 4) 具有 fs 分辨率的时钟抖动测量
ICP刻蚀机-Cl:
自动化操作,刻蚀机刻蚀方式:ICP模式;刻蚀精度:0.35微米;主要刻蚀介质:Al、TiN、Ti、HfO、W等金属及化合物材料。刻蚀尺寸:6英寸、4英寸。均匀性小于5%。
高低温微波直流探针台:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
矢量网络分析仪:
这套系统可以进行半导体器件与电路微波特性的片上测试与分析。
高清示波器2-Keysight DSOS254A:
信号的时域性能测量分析
功率器件分析仪-Keysight B1505A:
可在3000V直流偏置时执行全自动电容测量,封装器件和晶圆上IGBT/FET栅极电荷测量null
台阶仪:
台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器。当触针沿被测表面轻轻滑过时,由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时,还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。台阶仪测量精度较高、量程大、测量结果稳定可靠、重复性好,此外它还可以作为其它形貌测量技术的比对。可实现大范围快速移动,探针座用力小,拥有俯视光学系统,配合自动样品台,便于寻找样品。
矢量信号发生器-Keysight M9384B:
在高频芯片以及射频的收发信的测试过程中,需要信号源产生标准的调制信号,模拟如卫星星间、星地的测控、数传分系统、或民用收发系统中实际使用的各种调制信号,用来进行整机,分系统,部件等性能的测试,具体包括接收机灵敏度,以及整机,分系统和部件对信号的损伤问题
高速存储器测试系统-ADVANTEST T5833ES TU1:
这套系统可以进行高速存储器CP或FT测试。
示波器-Tektronix MSO64B:
在电路调试中,用来定性观测信号的有无,波形显示结果是否和期望相符,可以定量分析信号的特性,测量幅度、频率、上升时间、下降时间、脉冲宽度、脉冲个数、过冲等,观测电路是否有偶发故障,并分析其重复性,研究其成因。同时,还可以进行信号完整性测试,是否有噪声、过冲、振铃、非单调、抖动等特性。在射频信号分析领域,还可以进行信号频谱、调制分析。
在电路调试中,用来定性观测信号的有无,波形显示结果是否和期望相符,可以定量分析信号的特性,测量幅度、频率、上升时间、下降时间、脉冲宽度、脉冲个数、过冲等,观测电路是否有偶发故障,并分析其重复性,研究其成因。同时,还可以进行信号完整性测试,是否有噪声、过冲、振铃、非单调、抖动等特性。在射频信号分析领域,还可以进行信号频谱、调制分析。
自动打线机:
可完成金线和铜线的引线键合;适用于超微间距、超低线弧、堆叠芯片、Low-K和多层封装的应用;功能包括:垂悬焊接优化、随机自带线弧高度测量,具有强大的打线弧能力,高线弧和低线弧有更多的成型性选择和折弯能力。
激光直写系统:
激光直写系统,型号HEIDELBERG DWL66+,是一种用于亚微米尺度图形化及掩膜版制备工艺,它具备在各种衬底上进行激光直写光刻工艺,光刻胶灰阶光刻功能。
基本功能:
•制作光刻掩膜版
•激光直写曝光(硅衬底等)
•灰度曝光
59GHz 高宽带示波器-Keysight DSAZ594A:
这套系统可以进行电子工程以及通讯领域数字相关高速信号的测试。
高性能逻辑分析系统-Tektronix TLA7012:
这套系统可以进行高速数字信号的组合逻辑测试。
误码率分析仪- MP1900A:
进行高速数字信号的收发测试
拉曼光谱测试仪:
配置325nm激发波长、532nm激发波长,激发波长可自动切换;325nm激发波长可测试PL谱,测试范围:325nm-700nm
8寸自动样品台;
内置光栅可自动切换;
配置可见光镜头10X,100X,50X长工作距离镜头,74X
配置紫外镜头15X,74X
主要对固体进行定性测量。
功率计-Keysight N1913A:
功率测试
无液氦稀释制冷机- BlueFors BF-LD400:
为芯片测试提供可控的低温条件
半导体参数分析仪-Keysight B1500A 8*SMU:
对半导体器件进行IV、CV等多种电学功能测试
真空互联-分子束外延系统(金属):
可以实现氧化物、半导体和金属材料等很多薄膜材料的外延生长。由于其超高真空度,且生长速率高精度可控,可以获得具有突变界面的高质量的外延层,也可以精确的控制沉积薄膜的厚度、掺杂以及薄膜的组成比例
热场发射扫描电镜:
场发射扫描电镜具有超高分辨率(1nm/30kV,3 nm/3kV),能对多种样品进行照相,并获得倍率高于100000倍的高清晰数字图像(有效放大倍数:40X~300000X),可观测导电、不导电、含水样品。样品室抽真空时间较短(<150秒);加速电压范围:200V~30KV;样品台移动范围较大:X/Y : 100 mm,Z : 60 mm,R:360度连续旋转,T:- 5~+70度倾斜;样品台尺寸较大:直径65mm(最大可放置直径150mm圆片,样品最高40mm)。
频谱分析仪-Keysight N9020B:
频谱分析仪能够完成信号的矢量分析。可分析的信号包含:任意数字调制信号,模拟调制信,无线通信调制信号,雷达系统的各种脉冲调制信号等。通过矢量分析可得到信号的功率,频率,带宽及调制参数;调制精度等完整的参数。单台仪表提供信号的完整分析能力。频谱分析仪是通用的多功能测量仪器。应用范围很宽,通过测试信号,可以反映各种产生信号和处理信号的部件/系统的性能。包含信号频率、功率、失真、增益和噪声等特性。主要测量信号的频域和解调域参数指标,进行快速扫描、信号检测、信号判断、参数提取、信号分析及多信号的分析。
共聚焦显微镜系统:
1.可以对8”及以下基片上不透明或半透明结构进行3D形貌观测分析,非接触式、无损、快速成像和测量。
2.具备光学测量及成像模块,并且可实现地图导航、智能拼接,获取2D及3D图像,并在2D及3D图像上直接测量三维形貌数据等功能。
3.3D形貌数据获取可采用激光共聚焦、白光干涉、快速3D成像等三种模式,可以适应不同样品和测试需求。
清洗机:
本清洗机可使用多种清洗液,具有温度控制功能,清除硅片表面的微粒、有机物及无机物等杂质。还可以用来清除硅片表面的自然氧化层,去除硅片表面的光刻胶。本设备清洗的标准工艺是硫酸加过氧化氢加热到120度清洗,可清洗硅片的尺寸是2英寸、3英寸、4英寸。本设备还可用重铬酸钾溶液清洗玻璃器皿。
X射线光电子能谱分析仪:
元素标定、元素化学态标定null低温磁电耦合系统-Lake Shore CRX-VF:
为芯片测试提供可控的低温及磁场条件。
ESD闩锁测试系统-Hanwa HED-S5000R&HED-C5000R:
这套系统可以模拟人体模式(HBM)、机器模式(MM)以及器件充电模式(CDM)对样品进行静电敏感度的测试。同时具备Latch up的测试功能。
直流半自动探针台-Cascade Summit 12000B-M:
连接晶圆与仪表,配合直流性能测试
矢量网络分析仪-Keysight E5080B:
矢量网络分析仪是对射频及无线通信设备、终端、高性能的专用设备,可对元器件的S参数等进行快速、精确的测试。包括滤波器测试、放大器件测试、基站射频组合测试、混频器件测试、多端口器件测试、表面贴装器件测试、电缆测试、天线测试、平衡器件测试以及矢量电压表测试应用
综合物性测试系统:
测试材料物理特性,目前主要用于测试材料电阻率随温度、磁场的变化,温度可以从2K到300K之间线性变化,磁场可以从-90000 Oe到90000 Oe之间变化。
扫描探针显微镜系统:
形貌测试包括接触模式、轻敲模式、峰值力轻敲模式(智能模式)
可进行磁力显微镜(MFM)、静电力显微镜(EFM)、开尔文力探针显微镜(KPFM)、压电力显微镜(PFM)及力学表征。
配备nanoman模块,可以进行纳米操纵、纳米刻蚀。
配备温控模块,控温范围-35℃到250℃。
网络分析仪-Keysight E5071C:
微波频段器件射频性能测量
拉曼光谱仪:
显微共聚焦拉曼光谱仪,光斑大小为1um,可定位样品测试区域。
配置514nm和325nm激光器。
可进行Mapping测试。
磁控溅射镀膜机:
主要用于溅射各类金属和氧化物薄膜;
本设备有两个相互独立的腔室,可分别用于溅射金属和非金属类薄膜,每个腔室可以放置三块不同的靶材;
样品尺寸:4寸及以下整片或碎片
目前可溅射的材料如下:
Al、Cu、Ti、Mo、TiW、SiO2、ITO、ZnO、TiO。
多靶位磁控溅射系统:
该设备的特点如下:本底真空可达到10E-8Torr量级;基片温度可以控制在室温~800℃;可实现6英寸及以下尺寸的硅片的溅射镀膜;溅射镀膜的粘附性好,片内均匀性能够达到3%以下;可对多种材料进行溅射,与Lab18薄膜沉积系统靶材通用,目前主要有金属、氧化物和氮化物薄膜,包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、IGZO、V2O5、TiN、W等
国产溅射台:
本设备为半导体器件中溅射专用设备,主要溅射的金属材料有:Al、Cr、Ag、Au、Pt、Cu、Ti、TiW。它适用于5英寸及以下任意形状的基片,可同时溅射5英寸片4片、或4英寸片6片,或三英寸片9片。溅射均匀性在5%~10%之间。Al的溅射厚度10nm~3um, Au的溅射厚度10nm~500nm;Pt的溅射厚度10nm~500nm;Ti的溅射厚度10nm~500nm;TiW的溅射厚度10nm~500nm;Cu的溅射厚度10nm~1um;本设备使用于各种材质的衬底,形状不限,也可用于剥离工艺的金属材料溅射。
硅深刻蚀系统:
孔径2.5微米至1厘米,深宽比10:1
高速存储自动测试系统-ADVANTEST T5830ES:
支持存储器CP或FT测试。
真空互联-多功能扫描探针显微镜:
可实现STM,接触式AFM、非接触式AFM、导电力AFM、磁AFM和静电力AFM等功能。
电子背散射衍射(EBSD):
可以与能谱连用。
采用六方扫描方式,处理晶界更加平滑,基于这种扫描方式开发NPAR(Neighbor Pattern Averaging and Rendexing)数据处理技术,实现表面处理不良,难加工及难标定样品的测试工作。
真空互联-分子束外延系统(半导体):
实现氧化物、半导体和金属材料等很多薄膜材料的外延生长,且生长速率高精度可控,可以获得具有突变界面的高质量的外延层,也可以精确的控制沉积薄膜的厚度、掺杂以及薄膜的组成比例
PXIe精密源测量单元-Keysight M9615A:
多管脚复杂芯片的精密IV测试,可用于芯片的实验室测试或产线测试
主要功能:多管脚复杂芯片的精密IV测试,可用于芯片的实验室测试或产线测试
半自动激光锡球点焊机:
半自动激光锡球点焊机(激光凸点机)可用于晶圆级或单芯片微焊料凸点加工(wafer/chip bumping),及倒装焊封装等工艺研发和教学科研工作,特别是单芯片倒装凸点的制作和窄节距焊球的植球实现。焊球直径范围40μm~250μm。
激光凸点加工与传统的wafer level 的凸点制备相比,最大的区别在于不需进行光刻工艺、不需电镀等,因此本设备提供的是不使用光刻掩膜工艺的、非电镀的焊料凸点制备方案,且相比传统Wafer level凸点方法,一次性投入成本较低。尤其适用于MPW的芯片进行前期验证的倒装封装工艺。
真空互联-磁控溅射镀膜机:
制备纳米级单层及多层功能功能薄膜,主要为多层磁性异质结、磁性隧道结、合金薄膜、半导体和氧化物薄膜等
网络分析仪:
可以实现多种微波特性测试。
晶片键合机:
针对4英寸硅片,实现硅玻璃阳极键合和硅硅共晶键合,双抛对准精度1微米,双面对准精度2微米。
存储器老化测试系统-IT&T B3000ES:
这套系统可以在高温环境下进行pattern测试,测试集成电路的可靠性。
频谱分析仪-Keysight N9021B:
频谱分析仪能够完成信号的矢量分析。可分析的信号包含:任意数字调制信号,模拟调制信,无线通信调制信号,雷达系统的各种脉冲调制信号等。通过矢量分析可得到信号的功率,频率,带宽及调制参数;调制精度等完整的参数。单台仪表提供信号的完整分析能力。频谱分析仪是通用的多功能测量仪器。应用范围很宽,通过测试信号,可以反映各种产生信号和处理信号的部件/系统的性能。包含信号频率、功率、失真、增益和噪声等特性。主要测量信号的频域和解调域参数指标,进行快速扫描、信号检测、信号判断、参数提取、信号分析及多信号的分析null
薄膜厚度测量仪:
可以用于多种不同材料薄膜的厚度测量,包括氧化硅、氮化硅、TIN等材料,能够充分满足微电子所所承担的科研项目工作中的对多种不同材料薄膜进行厚度测量的需求。null共聚焦显微镜:
可以对8”及以下基片上不透明或半透明结构进行3D形貌观测分析,非接触式、无损、快速成像和测量。具备光学测量及成像模块,并且可实现地图导航、智能拼接,获取2D及3D图像,并在2D及3D图像上直接测量三维形貌数据等功能。3D形貌数据获取可采用激光共聚焦、白光干涉、快速3D成像等三种模式,可以适应不同样品和测试需求。nullDAD3350半自动切割机:
DAD3350 半自动切割机,该设备通过配置不同的切割刀, 能够对硅片、陶瓷、玻璃或 难加工材料进行切割加工。
椭圆偏振光谱仪:
用于光学薄膜厚度及光学参数测量;
可测量介质SiO2、Si3N4、TiO2、HfO2、Ta2O5等光学薄膜以及多层膜的厚度与光学参数;
可针对用户的材料进行建模。
四探针测试仪:
用于测量硅晶片上传导薄膜的方块电阻,可测量离子注入层、薄金属膜或外延层的方块电阻。测量范围为1x10-3到8x105Ω;面板控制可以测量1点或5点;外部控制可以最多测量5000点;晶片尺寸大到8英寸或6 x 6英寸正方晶片;测量结果以二维或三维方式显示和打印,测量数据可以输出到Microsoft EXCEL或ASCII码数据文件。
数字显微镜:
用于样品观测。可实现图像的采集和参数测量(长度、角度、面积等)。放大倍数为150~1000X连续放大,操作简单。
高频半自动探针台-Cascade Summit 12000B-M:
连接晶圆与仪表,配合高频性能测试
时钟恢复仪-Tektronix CR286A:
高速数字芯片中有一系列串行总线的设计和测试需求,国防军工领域同样需要高速误码率测试仪配合时钟恢复仪进行信号接收端分析,我们中心目前已经有高速率的误码率测试仪,能够集成软件进行PCIE GEN2、GEN3,GEN4等信号的快速高效的接收端测试以评估设计质量。
薄膜溅射沉积系统:
可用于制作铁磁材料薄膜、氧化物薄膜等
高低温全自动探针台-Opus 3 SLT:
配备OCR影像识别及自动对针系统。对针镜头为对准探针的上看方式,完全自动,量产不需要每次人工对准 配备GPIB通讯模组。 同时支持8吋及12吋晶圆自动探针测试。 图形(Mapping)格式适用于TSK、TEL、OPUS等厂家的驱动。 GPIB支持TSK、TEL、OPUS等厂家的驱动。 图形(Mapping)实时上传到服务器指定路径。 记录(Log)实时上传至指定路径。 支持CLEAN PAD(100 mm*200 mm)和CLEAN WAFER(8 &12INCH)两种清针模式。 通过TeamViewer、VNC软件远程控制。
全自动磁控溅射系统:
可低温(T﹤200℃)溅射SiO2膜,满足平面器件工艺,特别适合正胶剥离的样品。常规溅射SiO2膜温度高,无法满足低温平面工艺要求,此溅射系统溅射SiO2薄膜的平整度、表面粗糙度比常规高温、中温溅射的质量好,均匀性好,能满足低温溅射二氧化硅膜的工艺条件。
电子束蒸发薄膜沉积系:
半自动高低温探针台:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
12寸手动探针台-MPI TS300:
可用于一般数字电路的研究,可以支持12寸及以下尺寸(4/6/8寸)晶圆的直流性能测试;可以支持探卡和探针;可以支持20℃~200℃。
连接晶圆与仪表,配合直流性能测试
模拟射频信号发生器-Keysight E8663D:
发射射频微波信号,配合接收仪表进行芯片性能测试
低泄漏开关矩阵-Keysight B2201A:
多路射频信号的程控切换,用于测量复杂芯片系统
微光显微镜-SEMICAPS SOM1100:
微光显微镜是一套用来做故障点定位的分析设备,根据故障点的不同状态通过使用InGaAs探测器探测电路发出的微弱的光子或者以激光束扫描诱导金属电阻变化的方式,从集成电路或微电子器件内部数量众多的元器件或电路中迅速准确地定位到失效点,可侦测的缺陷包含节漏电、热电子效应、栅极氧化层漏电、闩锁效应、金属互联线短路、通孔底部高阻等,极大的缩小了失效电路的分析范围,从而为下一步缺陷的物理特性分析给出具体的失效位置,有利于半导体器件的工艺改进和缩短产品的研发周期
去胶设备(等离子光刻):
刻蚀方式: PLASMA模式 主要刻蚀介质:正胶、负胶等. 刻蚀尺寸:4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。
采样示波器-Tektronix DSA8300:
数字芯片和外围电路中有一系列高速串行信号的设计和测试需求,各种数字电路系统中需要时域反射计方式对阻抗、时延、串扰、S参数等进行测量,因此我们目前需要的采样示波器(TDR测试仪)能够集成软件进行各种高速信号的快速高效的采集测试以评估设计质量。
LAB18薄膜沉积系统:
该设备的特点如下:本底真空可达到10E-8Torr量级;基片温度可以控制在室温~550℃;可对基片进行等离子体清洗;可实现6英寸及以下尺寸的硅片的溅射镀膜;溅射镀膜的粘附性好,片内均匀性能够达到5%以下;可对多种材料进行溅射,目前主要有金属、氧化物和氮化物薄膜,包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、V2O5、TiN、W等
高宽带任意波形放大器-Tektronix AWG70001B:
高速数字芯片中有一系列串行总线的设计和测试需求,国防军工领域同样需要高速任意波形发生器进行信号接收端分析,因此我们目前需要的任意波形发生器能够集成软件进行各种高速信号的快速高效的接收端测试以评估设计质量。
高性能逻辑分析仪1-Tektronix MSO58LP:
多路并行数字信号调试,例如FPGA调试和验证,信号完整性分析,微处理器/总线调试和验证,嵌入式软件集成、调试和验证。
快速退火炉:
本设备用于半导体材料的退火,具有杂质再分布小,退火速度快,均匀性好,生产率高等优点。该设备也可以用于欧姆接触及硅化物形成、受控扩散等方面 。
化学气相淀积设备:
用于集成电路制造工艺化学气相沉积,氧化硅,氮化硅等薄膜材料null薄膜应力计:
测量不同温度条件下的薄膜应力。应力范围:1 Mpa~ 4×103 Mpa。可测试4、5、6、8英寸晶圆片。
脉冲函数任意噪声发生器-Keysight 81160A:
多种波形信号的发生,配合接受仪表进行器件分析
薄膜电阻测量仪:
该设备适用于各种基底材料薄膜的电阻率测量,具有测量范围广,精度高,稳定性好,数据易导出等特点,广泛应用于集成电路、光伏等科研、生产领域。
金相显微镜:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYCIA P3金相图像分析系统,可实现图像的采集以及参数测量(长度、角度、面积等),并具有实用的金相测量功能。OLYMPUS金相显微镜配备微分干涉器,所观察到的表面具有明显的凹凸感,呈浮雕状,对颗粒、裂纹、孔洞以及凸起等都能作出正确判断,能够容易判断明场下难于判别的结构细节或缺陷。
误码率测试仪-Tektronix BSX320:
这套系统可以进行高速数字信号的收发测试
佳能光刻机:
该设备为一台半自动接触式曝光机,需与其余辅助设备配套完成整个光刻工艺。光刻工艺的主要步骤分为:烘箱将硅片水分去除"熏表面接触剂"匀胶机涂覆光刻胶"热板对胶进行前烘"曝光机曝光"热板进行中烘"显影"显微镜进行图形检查"使用烘箱进行后烘。该设备对准曝光方式可在接近式、硬接触和软接触模式之间进行转换。可用的光波长度由g线、h线和i线合成;积分光量计的设定量能以0.1为单位在0~59.9之间变动;带硅片自动/手动供给选择开关。本设备具备自动传片功能,供有平边的圆片选择;手动传片功能供无平边或透明的圆片选择。另外,具备自动找平功能,从而不依赖于人的加工水平。本设备具有操作简单、工艺稳定、加工效率高等优点。
目前,该设备可做的光刻工艺有:曝AZ601正性光刻胶厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P负性胶厚2.0~2.7微米用于刻蚀工艺;NR9-3000PY负性胶厚2.0~2.7微米用于剥离工艺;NR9-6000PY负性胶厚5.0~5.7微米用于剥离工艺;AZ4620正性光刻胶厚4.5~8微米用于刻蚀工艺;双层胶用于剥离工艺等。
120GHZ毫米波在片网络分析仪测试系统-Keysight N5291A:
这套系统可以进行射频芯片参数的测试
真空互联-线性真空传输系统:
将多种薄膜生长设备与表征设备进行真空互联,保证样品在不同设备之间传送时其表面不发生氧化、沾污,不被外界大气环境所破坏。独立的样品处理室,可以对样品进行高温退火处理。样品转接腔,可以用于样品的翻转及真空的缓冲。
真空互联-扫描俄歇显微镜系统:
主要用于材料成分和均匀性的分析、材料性能与微观形貌两者关系的研究、微纳器件、微纳结构的高精度测试分析及失效分析等
逻辑分析仪1-Tektronix TLA6404:
分析数字系统逻辑关系
高清示波器1-Keysight DSOS254A:
信号的时域性能测量分析
数字全息显微镜:
数字全息显微镜通过CCD相机拍摄记录含有被观测样品表面形貌波前信息的全息图,再通过电脑从记录的每一帧全息图中实时解析重建提取出三维形貌。整个过程无需扫描,因此可以通过高速CCD相机配合电脑运算实时呈现样品表面二维、三维、四维形貌以及振动,称为四维动态形貌测试。数字全息显微镜精度高、速度快、测量结果稳定可靠、重复性好,在四维动态形貌和振动测试方面有着独一无二的优势,此外它还可以测量三维静态形貌以及作为其他形貌或振动测量技术的比对。
半导体特性分析系统-Keithley 4200A-SCS:
对半导体器件进行IV、CV等多种电学功能测试,常用于自动测试
引线键合机-WEST BOND 7376D:
该设备主要应用于半导体器件和集成电路芯片与载体基片之间进行引线键合,使键合好的半导体器件和集成电路芯片达到设计的标准。
倒装键合机:
倒装键合台采用高精度光学对准技术,结合热压、超声、共晶回流等方式来实现倒装芯片到封装基板的组装。
金相显微镜MX61-2:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYMPUS Stream Motion图像分析系统,可实现图像的采集、拼接、分割以及参数测量(长度、角度、面积等)。
半导体器件分析仪:
可进行+-100V电压的直流扫描测试,最小脉宽100ns的脉冲测试,I-V-t测试。
台式扫描电子显微镜:
①表面形貌观察、元素分析;
②光学定位,SEM 的操作画面以最低倍率显示的图像,是插入样品时自动拍摄的光学图像。在光学图像寻找视野,将观察视野放大时会自动切换到 SEM 图像。
③实时能谱,在观察画面上可以同时显示分析区域内的特征 X 射线谱图和自动定性的主要构成元素。
④4等分背散射电子检测器,可以呈现成分衬度像和形貌像。
⑤自动对焦、自动相散调整、自动对比度调整。
⑥真空度选择:对于不同的样品可以选择不同的真空度进行观察,尤其对于不导电样品可以采用低真空模式减小表面荷电。
高低温热流罩-MPI TA-5000A-1-1:
输出高速气流,为芯片电学测试,提供高低温环境
高清示波器-Tektronix DPO71304SX:
在电路调试中,用来定性观测信号的有无,波形显示结果是否和期望相符,可以定量分析信号的特性,测量幅度、频率、上升时间、下降时间、脉冲宽度、脉冲个数、过冲等,观测电路是否有偶发故障,并分析其重复性,研究其成因。同时,还可以进行信号完整性测试,是否有噪声、过冲、振铃、非单调、抖动等特性。在射频信号分析领域,还可以进行信号频谱、调制分析。
半导体器件分析仪:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
合金炉:
4寸硅片,合金工艺。工艺温度390℃,430℃,450℃。
小型环境试验箱:
对器件进行冷热冲击试验,了解其可靠性;可最大限度防止振动影响;温度分布均匀,可均匀施加应力;自动判断结霜状态且进行自除霜;空冷式;满足美军标MIL-Std-883E等试验标准。
台阶仪:
台阶仪主要用于薄膜厚度测量和材料表面沟槽以及材料形貌表征,具有安全可靠,易于操作,仪器稳定性好等特点。在半导体薄膜、高分子薄膜、金属薄膜、半导体器件、刻蚀等领域中有广泛的应用。
ICP刻蚀机-F:
自动化操作,刻蚀方式: ICP模式;刻蚀精度:0.35微米;主要刻蚀介质:Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蚀尺寸:6英寸、4英寸。均匀性小于5%。
精确温度循环系统:
对器件进行低温高温冲击,检测其可靠性。
手动探针台-Semishare SH-12:
连接晶圆与测试设备,开展电学测试
直流电源分析仪-Keysight X8712A:
在为被测件(DUT)提供电源的同时,动态测量送至 DUT的直流电压和电流
装入取出式等离子化学气相沉积设备:
可淀积高质量的氧化硅、氮化硅薄膜。薄膜类型多样 ,各种工艺条件,更高等离子密度,低损伤高质膜。
化学机械抛光设备:
•CMP——chemical mechanical polishing化学机械抛光 •CMP系统是以化学机械抛光机为主体,集成清洗、甩干、在线检测、终点检测等技术于一体的,综合了机械抛光和化学腐蚀双重作用的平坦化工艺 •化学过程:研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应,生成容易去除的物质 •物理过程:研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦,去除化学反应生成的物质
硅片清洗机:
nullnull金相显微镜MX61-1:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYCIA m3金相图像分析系统,可实现图像的采集、拼接、分割以及参数测量(长度、角度、面积等),并具有实用的金相测量功能。OLYMPUS金相显微镜配备微分干涉器,所观察到的表面具有明显的凹凸感,呈浮雕状,对颗粒、裂纹、孔洞以及凸起等都能作出正确判断,能够容易判断明场下难于判别的结构细节或缺陷。
真空互联-角分辨光电子能谱:
分析高质量薄膜晶体中的电子能带色散关系,并给出固体的费米面等信息,通过变温实验进一步得到薄膜晶体电子结构随温度的变化关系。温度最低可到10K。
硬件仿真加速器:
(1)大规模全场景硬件仿真系统硬件。包括支持多达64个逻辑仿真计算处理器单元和存储器级联成为一个超大规模的高速逻辑仿真计算的互连和操作系统,支持全场景的仿真计算业务包括子系统,全芯片以及系统软硬件协同仿真(co-emulation)的IP设计,和支持空间和时间维度的先进调试方法学,包括全可视、无限长度波形调试等专用IP设计。 (2)超大容量全流程时序驱动系统级编译器(system-level compiler)。支持把数十亿门规模芯片设计的RTL(Register Transfer Level)代码自动快速实现在上述逻辑仿真计算软硬件系统上的编译器,包括RTL综合优化技术,系统电路划分/系统级null
半导体参数测试仪:
可以进行常规的IV、C-V测试
PICOSUN 原子层沉积系统:
可在4”硅片上沉积氧化物薄膜,目前可以通过水、臭氧以及Plasma等方式沉积氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化锆、铪锆氧薄膜。
开关矩阵-Keysight B2201A:
多路射频信号的程控切换,用于测量复杂芯片系统
MA6双面光刻机:
本设备可进行双面对准和曝光,双面对准精度2微米,可对30um以下厚胶曝光。硅片尺寸为5英寸、4英寸、3英寸。另外可以进行SU-8等厚胶光刻。 |
光电所光刻机(LED):
该设备为手动接触式曝光机,需与其它辅助设备配套完成整个光刻工艺。光刻工艺的主要步骤分为:烘箱将硅片水分去除、熏表面接触剂、匀胶机涂覆光刻胶、热板对胶进行前烘、曝光机曝光、热板进行中烘、显影、显微镜镜检、烘箱后烘。该曝光机所承载的硅片为6英寸圆片以下或直径小于2英寸的小碎片;掩膜版尺寸7英寸以下;本光刻机的主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸、在对准标记质量不好、套刻要求不高的情况下也可进行曝光;对形状各异的碎片均可曝光;
目前,该设备可做的光刻工艺有:曝AZ601正性光刻胶厚1.5微米~2.5微米、NR9-3000P负性胶厚2.0~2.7微米用于刻蚀工艺;NR9-3000PY负性胶厚2.0~2.7微米用于剥离工艺;NR9-6000PY负性胶厚5.0~5.7微米用于剥离工艺;AZ4620正性光刻胶厚4.5~8微米用于刻蚀工艺;双层胶用于剥离工艺等。
音频分析仪-AP APx555:
音频及其它低频信号的发生与分析
实时频谱分析仪-Tektronix RSA5126B:
实时信号观测和捕获。面对越来越复杂的电磁环境,各种信号在在频域上相互重叠,并且信号出现和持续时间呈现随机性。例如捷变频信号,扩频信号,偶发信号等。传统非实时频谱仪很难对该复杂电磁环境进行完整性监测,会漏掉很多真实存在的信号。通过采用 DPX? 频谱,实时频谱仪可以完整捕获各类偶发信号。 复杂电磁环境定量描述。实时频谱分析仪的实时频谱观测功能(DPX spectrum),以及实时频谱概率密度统计功能(Density)可以实现频谱的实时观测和实时统计,从而完成频谱占用度和频谱重合度的测量。 该仪器可通过一次捕获,同时分析包括频域、时域以及调制域在内的多域分析。而且通过时间参数,将各个域联系起来分析
电子万能试验机:
电子万能试验机主要用于测定金属、非金属材料的拉伸、压缩、弯曲或疲劳性能。在配备相应试验夹具后,可测定基板材料在室温状态下(或高温状态下)的拉伸、压缩和疲劳特性、疲劳寿命、预制裂纹及裂纹扩展试验。
半导体参数分析系统-EN-6500A:
半导体参数分析系统是功率器件测试的配套设备,EN-6500A可实现2000V、100A以内的Si基功率器件开通、关断、反向恢复等特性测试,系统可自动保存测试数据及波形,系统软件基于Labview编写,便于操作人员操作,同时具备联锁防护等多项安全测试防护配置,可以最大限度的保护仪器和设备操作人员。
多腔室物理气相沉积系统Polaris G620:
本底真空可达到10E-8Torr量级;主要进行8英寸样品的制备;可进行烘烤,可预清洗不同厚度的SiO2,可生长不同厚度的TiN/Al。
高带宽实时示波器-Keysight UXR0594A:
这套系统可以进行电子工程以及通讯领域数字相关高速信号的测试。
引线键合机:
null
1. 可实现铝丝引线键合
2.可实现金丝球引线键合
扫描微波阻抗显微镜(sMIM):
sMIM根据近场微波原理,可以在纳米尺度下对样品直接测量局域的导电性质和介电性质,具有超高的电学分辨率(<0.5aF)和空间分辨率,其电学分辨率比同类产品高出一个数量级。此外,sMIM还可以测试多种材料包括半导体,金属,绝缘体和介质材料,应用十分广泛。样品测试时,无需制备电极或者表面镀膜就可以测试电学性质,大大减少了样品的制备工作量,同时最大限度的减少了对样品表面的破坏。在有标定样品的情况下,sMIM还可以测量介电常数和载流子浓度的绝对值,这对需要定量分析的科研工作提供了可靠的技术手段,相对其他可行方案便捷性大大提高。扫描微波阻抗显微镜的主要功能包括微小电容的表征测量、可定量测量微小电容结构的电容值、直接测量材料局域的导电率和介电常数、测量半导体材料的掺杂浓度和类型、可实现局域纳米尺度下C-V曲线的表征、实现材料表面和表面以下性质的测量。
高分辨场发射扫描电镜:
配备高分辨二次电子探头(In-lens探头),能谱仪。
具备大尺寸样品测试条件。
具备导航定位功能。
IC电磁干扰扫描仪-Langer EMV ICS 105:
扫描芯片工作时近场磁场变化
四探针薄层电阻测试仪:
用于测量硅晶片上传导薄膜的方块电阻,可测量离子注入层、薄金属膜或外延层的方块电阻。测量范围为0.001到800000Ω/□;面板控制可以测量1点或5点;外部控制可以最多测量5000点;晶片尺寸大到8英寸或6 x 6英寸正方晶片;测量结果以二维或三维方式显示和打印,测量数据可以输出到Microsoft EXCEL或ASCII码数据文件。
阴影云纹:
基板,元器件,晶圆热形变及应变
金相显微镜Leica:
手动调焦,5倍,10倍,20倍,50倍,100倍物镜
MA8双面光刻机:
本设备可进行双面对准和曝光,双面对准精度2微米,可对30um以下厚胶曝光。硅片尺寸为8英寸、6英寸4英寸。另外可以进行SU-8等厚胶光刻。
电感耦合等离子增强·化学气相沉积系统:
可沉积高质量的氧化硅、氮化硅薄膜。该设备通过感应耦合(ICP)方式产生高密度等离子体,具有低温、低损伤和低应力,高侧壁覆盖率的特点。
冷热冲击试验箱-ESPEC TSD-101-W:
此设备有高、低温两个chamer,试验过程中电动控制样品移动,转移时间<10S,设备控温精准,可以支持空气介质的冷热冲击试验(规定转换时间的快速温度变化试验)
信号分析仪-Keysight N9010B:
对信号进行频谱分析
高分辨率X射线衍射仪:
高分辨测试时,可进行双轴测试和三轴测试,测试精度高。
可通常倒易空间点阵测试样品微结构空间分布及应变状态,易可直接进行Relaxation scan,确定Relaxation 及其范围。
可通过XRR测试,分析样品厚度。
样品台可360度旋转,-3度-90度倾斜,入射角可达90度。
超大规模集成电路测试机-Advantest V93000:
支持数字、模拟、射频等多种类测试
高性能逻辑分析仪2-Tektronix MSO58LP:
多路并行数字信号调试,例如FPGA调试和验证,信号完整性分析,微处理器/总线调试和验证,嵌入式软件集成、调试和验证。
XeF2干法释放刻蚀设备:
将刻蚀样片放入真空腔内,在达到真空度要求后,通过释放XeF2气体,对样片进行选择性刻蚀。
硬件加速器系统-Mentor Veloce Strato TiL:
数字芯片设计效果的仿真检验
高真空快速退火炉:
矢量信号发生器-Keysight E8267D:
发射高频带调制的信号
恒温恒湿箱-ESPEC ARS-0220-AE:
具备精准控温控湿能力,同时可以精确控制湿度、温度的变化速率以及温湿度条件下的持续时间,可以支持恒定湿热试验以及交变湿热试验等。
小型超低温试验箱-ESPEC GMC-71:
此设备控温精度高,可以精准控制升降温速率以及温度的持续时间,典型实验:高温存储试验、低温存储试验
等离子去胶机:
nullnull信号与频谱分析仪-ROHDE-SCHWARZ FSW26:
对射频信号进行频谱分析
高清示波器-Keysight MSOS804A:
信号的时域性能测量分析
快速温变箱-ESPEC EGNX28-15NW:
本设备可以支持温度定值、程序运转。精准控温,精准控制温度变化速率,温度持续时间。典型实验:快速温变试验、温度循环试验(TC)
光学膜厚测量仪:
对透明膜进行厚度测试,可对多层膜进行模型建立和测试。可以拟合得到折射率;
含 UV 光源,可对较薄的膜层进行厚度测试;
测试膜厚范围小于15um;
测试后需要建模拟合得到膜厚,材料库中没有的薄膜或者用户自己合成的薄膜测量效果不好。
电流分析仪-Keysight CX3322A:
测量不同激励下信号的电流波形
器件电流波形分析仪-Keysight CX3322A:
测量不同激励下信号的电流波形
三离子束切割仪:
利用离子束对样品进行轰击,获得高质量无应力的截面。三离子束切割仪主要用于扫描电镜样品的加工,使样品暴露出高质量、无应力的理想截面,使其能够在电镜下获得真实的微纳结构信息。
倒装键合机:
设备支持各类芯片的共晶键合、热压键合及粘接键合等null
直流电源分析仪3-Keysight N6705C:
在为被测件(DUT)提供电源的同时,动态测量送至 DUT的直流电压和电流
110GHz信号发生和分析系统-Keysight E8257D&9041B:
毫米波射频信号的发生与分析
膜厚测试仪:
用光学方法测量透明介质的厚度(SiO2、Si3N4、光刻胶等)。操作简单,最大测量膜厚10um。
逻辑分析仪2-Tektronix TLA6404:
分析数字系统逻辑关系
频谱分析仪:
· 使用各种硬件平台满足不断变化的测试需求—无论是研发领域追求的最高性能,还是制造环节恰到好处的性能
· 利用业界最广泛的特定频谱分析软件,实施更深入的故障诊断或一键式测量
· 在您优化测试以提升测量性能或吞吐量时,可以利用经过证明的测量科学以及能够保证测量完整性的深厚技术来获得可靠的测量结果
· 通过升级功能特性和性能,延长测试资产的使用寿命
显微探针台-Cascade EPS150FA:
连接晶圆与测试设备,开展电学测试
直流电源分析仪1-Keysight N6705C:
在为被测件(DUT)提供电源的同时,动态测量送至 DUT的直流电压和电流
桌上型点胶机:
利用气压控制点胶量、机械臂和平台配合形成点胶图形;主要用于:顶部灌封(Encapsulation)、底部填充(underfill)、围堰填充(Dam&fill)
原子力显微镜:
压电力显微镜(SSPFM,DCUBE-PFM, DCUBE-CR-PFM),接触共振(CR, Contact Resonance),力谱测试(PFQNM),导电原子力显微镜(PFTUNA, CAFM)
角分辨光电子能谱:
nullnull器件电流波形分析仪-Keysight CX3324A:
器件电流波形分析仪可以清晰而精确地显示电流波形,可以精确地分析功耗。可以测量半导体器件(包括休眠和激活两种状态)的电流曲线图,可以测量低电平的瞬态电流,其宽带宽和低噪声性能可以显示出器件的真实脉冲响应,还可以测量 PDN(供电网络或配电网络)的电流曲线图,包括大的冲击电流和小的休眠电流。
信号分析仪-ROHDE-SCHWARZ FSVA3030:
对10Hz至30GHz频率范围内的射频信号进行频谱测量、矢量信号解调、噪声系数分析和相位噪声分析
直流电源分析仪2-Keysight N6705C:
在为被测件(DUT)提供电源的同时,动态测量送至 DUT的直流电压和电流
任意波形发生器-Keysight 81160A:
多种波形信号的发生,配合接受仪表进行器件分析
反应离子蚀刻机:
本刻蚀机刻蚀方式:RIE模式。刻蚀精度:1微米。主要刻蚀介质:Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2.刻蚀尺寸:4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。
真空互联-原子层沉积系统:
将物质以单原子膜形式一层一层的生长在沉底上
丝网印刷机:
通过模板印刷方式进行高精度的焊膏获其他材料的转印,可应用于圆片级倒装芯片凸点的制备,同时可应用于高精度的板级焊膏印刷和成球技术。
干法刻蚀机:
自动化操作,刻蚀方式: ICP模式;刻蚀精度:0.35微米;主要刻蚀介质:Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蚀尺寸:8英寸。均匀性小于5%。