热场发射扫描电镜:
场发射扫描电镜具有超高分辨率(1nm/30kV,3 nm/3kV),能对多种样品进行照相,并获得倍率高于100000倍的高清晰数字图像(有效放大倍数:40X~300000X),可观测导电、不导电、含水样品。样品室抽真空时间较短(<150秒);加速电压范围:200V~30KV;样品台移动范围较大:X/Y : 100 mm,Z : 60 mm,R:360度连续旋转,T:- 5~+70度倾斜;样品台尺寸较大:直径65mm(最大可放置直径150mm圆片,样品最高40mm)。
台阶仪:
台阶仪主要用于薄膜厚度测量和材料表面沟槽以及材料形貌表征,具有安全可靠,易于操作,仪器稳定性好等特点。在半导体薄膜、高分子薄膜、金属薄膜、半导体器件、刻蚀等领域中有广泛的应用。
金相显微镜:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYCIA P3金相图像分析系统,可实现图像的采集以及参数测量(长度、角度、面积等),并具有实用的金相测量功能。OLYMPUS金相显微镜配备微分干涉器,所观察到的表面具有明显的凹凸感,呈浮雕状,对颗粒、裂纹、孔洞以及凸起等都能作出正确判断,能够容易判断明场下难于判别的结构细节或缺陷。
拉曼光谱测试仪:
配置325nm激发波长、532nm激发波长,激发波长可自动切换;325nm激发波长可测试PL谱,测试范围:325nm-700nm
8寸自动样品台;
内置光栅可自动切换;
配置可见光镜头10X,100X,50X长工作距离镜头,74X
配置紫外镜头15X,74X
主要对固体进行定性测量。
数字全息显微镜:
数字全息显微镜通过CCD相机拍摄记录含有被观测样品表面形貌波前信息的全息图,再通过电脑从记录的每一帧全息图中实时解析重建提取出三维形貌。整个过程无需扫描,因此可以通过高速CCD相机配合电脑运算实时呈现样品表面二维、三维、四维形貌以及振动,称为四维动态形貌测试。数字全息显微镜精度高、速度快、测量结果稳定可靠、重复性好,在四维动态形貌和振动测试方面有着独一无二的优势,此外它还可以测量三维静态形貌以及作为其他形貌或振动测量技术的比对。
矢量网络分析仪:
这套系统可以进行半导体器件与电路微波特性的片上测试与分析。
薄膜应力计:
测量不同温度条件下的薄膜应力。应力范围:1 Mpa~ 4×103 Mpa。可测试4、5、6、8英寸晶圆片。
台阶仪:
台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器。当触针沿被测表面轻轻滑过时,由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时,还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。台阶仪测量精度较高、量程大、测量结果稳定可靠、重复性好,此外它还可以作为其它形貌测量技术的比对。可实现大范围快速移动,探针座用力小,拥有俯视光学系统,配合自动样品台,便于寻找样品。
数字显微镜:
用于样品观测。可实现图像的采集和参数测量(长度、角度、面积等)。放大倍数为150~1000X连续放大,操作简单。
傅里叶变换红外光谱仪:
傅里叶变换红外光谱仪兼具显微镜和红外光谱的功能,可以对微小样品进行微区检测,进行快速有效的分离鉴定。该设备利用物质吸收红外辐射后,引起分子振动能级和转动能级的跃迁产生的带状光谱,对所得光谱进行分析,可以得出物质组成、结构定性分析。
金相显微镜Leica:
手动调焦,5倍,10倍,20倍,50倍,100倍物镜
金相显微镜MX61-2:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYMPUS Stream Motion图像分析系统,可实现图像的采集、拼接、分割以及参数测量(长度、角度、面积等)。
扫描探针显微镜系统:
(1)智能扫描模式 ScanAsyst
(2)接触模式 Contact Mode
(3)轻敲模式 Tapping Mode
(4)抬高模式 Lift Mode
(5)相位成像 Phase Imaging
(6)扭矩共振模式 TR Mode
(7)磁力显微镜 MFM
(8)静电力显微镜 EFM
(9)开尔文探针力显微镜 KPFM
(10)压电力显微镜 PFM
(11)力曲线/力谱测量 Force Curve/Force Volume
(12)扫描扩散电阻显微镜 SSRM
(13)扫描电容显微镜 SCM
(14)导电原子力显微镜 CAFM
(15)扫描隧道显微镜 STM
(16)纳米操纵/纳米刻蚀 Nano Manipulation/Nano Lithography
(17)统能够提供将样品的温度环境温度控制在-35℃到250℃范围内进⾏原子力显微镜的测试。
共聚焦显微镜系统:
1.可以对8”及以下基片上不透明或半透明结构进行3D形貌观测分析,非接触式、无损、快速成像和测量。
2.具备光学测量及成像模块,并且可实现地图导航、智能拼接,获取2D及3D图像,并在2D及3D图像上直接测量三维形貌数据等功能。
3.3D形貌数据获取可采用激光共聚焦、白光干涉、快速3D成像等三种模式,可以适应不同样品和测试需求。
膜厚测试仪:
用光学方法测量透明介质的厚度(SiO2、Si3N4、光刻胶等)。操作简单,最大测量膜厚10um。
电子背散射衍射(EBSD):
可以与能谱连用。
采用六方扫描方式,处理晶界更加平滑,基于这种扫描方式开发NPAR(Neighbor Pattern Averaging and Rendexing)数据处理技术,实现表面处理不良,难加工及难标定样品的测试工作。
半导体器件分析仪:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
光学膜厚测量仪:
对透明膜进行厚度测试,可对多层膜进行模型建立和测试。可以拟合得到折射率;
含 UV 光源,可对较薄的膜层进行厚度测试;
测试膜厚范围小于15um;
测试后需要建模拟合得到膜厚,材料库中没有的薄膜或者用户自己合成的薄膜测量效果不好。
拉曼光谱仪:
显微共聚焦拉曼光谱仪,光斑大小为1um,可定位样品测试区域。
配置514nm和325nm激光器。
可进行Mapping测试。
四探针测试仪:
用于测量硅晶片上传导薄膜的方块电阻,可测量离子注入层、薄金属膜或外延层的方块电阻。测量范围为1x10-3到8x105Ω;面板控制可以测量1点或5点;外部控制可以最多测量5000点;晶片尺寸大到8英寸或6 x 6英寸正方晶片;测量结果以二维或三维方式显示和打印,测量数据可以输出到Microsoft EXCEL或ASCII码数据文件。
金相显微镜MX61-1:
OLYMPUS金相显微镜(放大倍数50~1000X)结合OLYCIA m3金相图像分析系统,可实现图像的采集、拼接、分割以及参数测量(长度、角度、面积等),并具有实用的金相测量功能。OLYMPUS金相显微镜配备微分干涉器,所观察到的表面具有明显的凹凸感,呈浮雕状,对颗粒、裂纹、孔洞以及凸起等都能作出正确判断,能够容易判断明场下难于判别的结构细节或缺陷。
信号参数分析仪:
N5247A 67G微波电路测量系统主要的功能之一是对射频微波元器件的S参数进行测试。包括脉冲器件、功率放大器、低噪声放大器、混频器、变频器、T/R组件、天线等。可以完成通用的线性传输/反射参数测试,脉冲参数测试,放大器谐波测试,精确的混频器/变频器测试等。
N5247A 67G微波电路测量系统还可以实现单次连接多项测量功能,即完成校准及连接好被测件后,可以完成被测件几乎所有参数的测量;例如对于放大器可以同时测量驻波、增益、谐波、1dB压缩点、AM到PM转换和三阶交调等项目。
椭圆偏振光谱仪:
用于光学薄膜厚度及光学参数测量;
可测量介质SiO2、Si3N4、TiO2、HfO2、Ta2O5等光学薄膜以及多层膜的厚度与光学参数;
可针对用户的材料进行建模。
高低温微波直流探针台:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
原子力显微镜:
压电力显微镜(SSPFM),接触共振
共聚焦显微镜:
可以对8”及以下基片上不透明或半透明结构进行3D形貌观测分析,非接触式、无损、快速成像和测量。具备光学测量及成像模块,并且可实现地图导航、智能拼接,获取2D及3D图像,并在2D及3D图像上直接测量三维形貌数据等功能。3D形貌数据获取可采用激光共聚焦、白光干涉、快速3D成像等三种模式,可以适应不同样品和测试需求。null综合物性测试系统:
测试材料物理特性,目前主要用于测试材料电阻率随温度、磁场的变化,温度可以从2K到300K之间线性变化,磁场可以从-90000 Oe到90000 Oe之间变化。
高分辨率X射线衍射仪:
高分辨测试时,可进行双轴测试和三轴测试,测试精度高。
可通常倒易空间点阵测试样品微结构空间分布及应变状态,易可直接进行Relaxation scan,确定Relaxation 及其范围。
可通过XRR测试,分析样品厚度。
样品台可360度旋转,-3度-90度倾斜,入射角可达90度。
氦氖镓三束微纳离子显微镜:
微纳成像与加工
半导体参数测试仪:
可以进行常规的IV、C-V测试
四探针薄层电阻测试仪:
用于测量硅晶片上传导薄膜的方块电阻,可测量离子注入层、薄金属膜或外延层的方块电阻。测量范围为0.001到800000Ω/□;面板控制可以测量1点或5点;外部控制可以最多测量5000点;晶片尺寸大到8英寸或6 x 6英寸正方晶片;测量结果以二维或三维方式显示和打印,测量数据可以输出到Microsoft EXCEL或ASCII码数据文件。
X射线光电子能谱分析仪:
大功率X射线枪
配备Al/Ag双靶
配备荷电中和、氩离子刻蚀枪、紫外光电子能谱
可进行平行成像,最佳分辨率1微米
频谱分析仪:
· 使用各种硬件平台满足不断变化的测试需求—无论是研发领域追求的最高性能,还是制造环节恰到好处的性能
· 利用业界最广泛的特定频谱分析软件,实施更深入的故障诊断或一键式测量
· 在您优化测试以提升测量性能或吞吐量时,可以利用经过证明的测量科学以及能够保证测量完整性的深厚技术来获得可靠的测量结果
· 通过升级功能特性和性能,延长测试资产的使用寿命
台式扫描电子显微镜:
①表面形貌观察、元素分析;
②光学定位,SEM 的操作画面以最低倍率显示的图像,是插入样品时自动拍摄的光学图像。在光学图像寻找视野,将观察视野放大时会自动切换到 SEM 图像。
③实时能谱,在观察画面上可以同时显示分析区域内的特征 X 射线谱图和自动定性的主要构成元素。
④4等分背散射电子检测器,可以呈现成分衬度像和形貌像。
⑤自动对焦、自动相散调整、自动对比度调整。
⑥真空度选择:对于不同的样品可以选择不同的真空度进行观察,尤其对于不导电样品可以采用低真空模式减小表面荷电。
高分辨场发射扫描电镜:
配备高分辨二次电子探头(In-lens探头),能谱仪。
具备大尺寸样品测试条件。
具备导航定位功能。
半自动高低温探针台:
可以进行常温和变温条件下的IV、C-V、脉冲IV的测试。
薄膜电阻测量仪:
该设备适用于各种基底材料薄膜的电阻率测量,具有测量范围广,精度高,稳定性好,数据易导出等特点,广泛应用于集成电路、光伏等科研、生产领域。
网络分析仪:
可以实现多种微波特性测试。
FIB聚焦离子束系统:
微纳成像与加工,TEM制样。
半导体器件分析仪:
可进行+-100V电压的直流扫描测试,最小脉宽100ns的脉冲测试,I-V-t测试。
扫描微波阻抗显微镜(sMIM):
sMIM根据近场微波原理,可以在纳米尺度下对样品直接测量局域的导电性质和介电性质,具有超高的电学分辨率(<0.5aF)和空间分辨率,其电学分辨率比同类产品高出一个数量级。此外,sMIM还可以测试多种材料包括半导体,金属,绝缘体和介质材料,应用十分广泛。样品测试时,无需制备电极或者表面镀膜就可以测试电学性质,大大减少了样品的制备工作量,同时最大限度的减少了对样品表面的破坏。在有标定样品的情况下,sMIM还可以测量介电常数和载流子浓度的绝对值,这对需要定量分析的科研工作提供了可靠的技术手段,相对其他可行方案便捷性大大提高。扫描微波阻抗显微镜的主要功能包括微小电容的表征测量、可定量测量微小电容结构的电容值、直接测量材料局域的导电率和介电常数、测量半导体材料的掺杂浓度和类型、可实现局域纳米尺度下C-V曲线的表征、实现材料表面和表面以下性质的测量。
台阶仪(P17):
兼容8英寸(8inch)及以下尺寸wafer;
薄膜厚度测量;
区域轮廓扫描;
二维应力测量;
可进行多点测试(最多20点)。