装入取出式等离子化学气相沉积设备:

薄膜类型多样 ，各种工艺条件，更高等离子密度，低损伤高质膜。

多腔室物理气相沉积系统Polaris G620:

本底真空可达到10E-8Torr量级；主要进行8英寸样品的制备；可进行烘烤，可预清洗不同厚度的SiO2，可生长不同厚度的TiN/Al。

化学气相沉积系统:

此设备在100～400℃下淀积SiOx、SiNx、SiOxNy、ɑ-Si、SiCx 高低应力SiNx薄膜。反应气体主要是元素的氢化物。

全自动磁控溅射系统:

可低温（T﹤200℃）溅射SiO2膜，满足平面器件工艺，特别适合正胶剥离的样品。常规溅射SiO2膜温度高，无法满足低温平面工艺要求，此溅射系统溅射SiO2薄膜的平整度、表面粗糙度比常规高温、中温溅射的质量好，均匀性好，能满足低温溅射二氧化硅膜的工艺条件。

高真空电子束蒸发系统:

该设备具有以下特点：真空度可达到10-8Torr量级；具有基片加热功能，最高可以加热到450℃；可对8英寸及以下硅片进行镀膜；蒸发速率快,均匀性好；所蒸发的金属薄膜易于剥离；同时能够对薄膜的蒸发速率和厚度进行实时监测。目前可蒸发材料包括Al，Sc，Sn，Ge等。

多靶位磁控溅射系统:

该设备的特点如下：本底真空可达到10E-8Torr量级；基片温度可以控制在室温~800℃；可实现6英寸及以下尺寸的硅片的溅射镀膜；溅射镀膜的粘附性好，片内均匀性能够达到3%以下；可对多种材料进行溅射，与Lab18薄膜沉积系统靶材通用，目前主要有金属、氧化物和氮化物薄膜，包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、IGZO、V2O5、TiN、W等

高真空快速退火炉:

国产溅射台:

本设备为半导体器件中溅射专用设备，主要溅射的金属材料有：Al、Cr、Ag、Au、Pt、Cu、Ti、TiW。它适用于5英寸及以下任意形状的基片，可同时溅射5英寸片4片、或4英寸片6片，或三英寸片9片。溅射均匀性在5%~10%之间。Al的溅射厚度10nm~3um, Au的溅射厚度10nm~500nm；Pt的溅射厚度10nm~500nm；Ti的溅射厚度10nm~500nm；TiW的溅射厚度10nm~500nm；Cu的溅射厚度10nm~1um；本设备使用于各种材质的衬底，形状不限，也可用于剥离工艺的金属材料溅射。

PICOSUN 原子层沉积系统:

可在4”硅片上沉积氧化物薄膜，目前可以通过水、臭氧以及Plasma等方式沉积氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化锆、铪锆氧薄膜。

磁控溅射镀膜机:

主要用于溅射各类金属和氧化物薄膜；

本设备有两个相互独立的腔室，可分别用于溅射金属和非金属类薄膜，每个腔室可以放置三块不同的靶材；

样品尺寸：4寸及以下整片或碎片

目前可溅射的材料如下：

Al、Cu、Ti、Mo、TiW、SiO2、ITO、ZnO、TiO。

合金炉:

4寸硅片，合金工艺。工艺温度390℃，430℃，450℃。

薄膜溅射沉积系统:

可用于制作铁磁材料薄膜、氧化物薄膜等

快速退火炉:

本设备用于半导体材料的退火，具有杂质再分布小，退火速度快，均匀性好，生产率高等优点。该设备也可以用于欧姆接触及硅化物形成、受控扩散等方面  。

BENEQ 原子层沉积系统:

制备氧化物，如氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽等，制备氮化物，如氮化钛、氮化钽等，精确到0.1纳米。

LAB18薄膜沉积系统:

该设备的特点如下：本底真空可达到10E-8Torr量级；基片温度可以控制在室温~550℃；可对基片进行等离子体清洗；可实现6英寸及以下尺寸的硅片的溅射镀膜；溅射镀膜的粘附性好，片内均匀性能够达到5%以下；可对多种材料进行溅射，目前主要有金属、氧化物和氮化物薄膜，包括Pt、Ti、Al、Cr、Hf、Ta、Nb、V、Ni、Co、Pd、Al2O3、HfO2、Ta2O5、Nb2O5、NbO2、V2O5、TiN、W等

THERMCO 氧化LPCVD:

       设备所有炉体为3 温区，恒温区长度300mm。氧化炉体最高温度为1200度，工艺温度最高为1100度；所有炉体都是由内外部热电偶双控温模式以达到工艺温度更精准更稳定。

电子束蒸发薄膜沉积系:

电感耦合等离子增强·化学气相沉积系统:

该设备通过感应耦合（ICP）方式产生高密度等离子体，具有低温、低损伤和低应力，高侧壁覆盖率的特点。